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新一代50nm集成电路闪存芯片设计综合研发平台建设项目
新一代50nm集成电路闪存芯片设计综合研发平台建设项目导读：新一代50nm集成电路闪存芯片设计综合研发平台建设项目 项目信息 备案项目编号 2020-440402-65-03-097610 项目名称 新一代50nm集成电路闪存芯片设计综合研发平台建设项目 项目所在地 珠海市高新区大学路101号清华科技园A1106-1108单元 项目总投资...
新一代50nm集成电路闪存芯片设计综合研发平台建设项目规模及项目内容详情
| 备案项目编号 | 2020-440402-65-03-097610 |
| 项目名称 | 新一代50nm集成电路闪存芯片设计综合研发平台建设项目 |
| 项目所在地 | 珠海市高新区大学路101号清华科技园A1106-1108单元 |
| 项目总投资 | 2600.0万元 |
| 项目规模及内容 | 该项目基于国际领先的50nm ETOX工艺技术，通过购置一批测试机、光掩膜版、探针卡等生产和测试设备，建设新一代50nm集成电路闪存芯片设计综合研发平台，完成不少于6款新一代50nm集成电路闪存芯片综合研发工作，设计生产能力将达到1亿颗/年，产品相关性能将超过国际主流集成电路闪存芯片的标准。 |
| 建设单位 | 珠海博雅科技有限公司 |
| 备案机关 | 高新区发展和改革局 |
| 备案申报日期 | 2020年10月30日 |
| 复核通过日期 | 2020年10月30日 |
| 项目起止年限 | 2020年10月01日 - 2023年09月01日 |
| 项目当前状态 | 办结（通过） |
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