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氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设
氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设导读:氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设 项目信息 备案项目编号 2020-440112-73-03-099478 项目名称 氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设 项目所在地 广州市黄埔区九龙镇中新广州知识城九龙大道以东、广河高...
氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设规模及项目内容详情
备案项目编号 | 2020-440112-73-03-099478 |
项目名称 | 氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设 |
项目所在地 | 广州市黄埔区九龙镇中新广州知识城九龙大道以东、广河高速公路以北ZSCKD-D1-1地块 |
项目总投资 | 5000.0万元 |
项目规模及内容 | 平台建设规模:两千平方米 主要内容:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术平台建设 产品名称:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术 设计生产能力:年产量10万颗 主要设备选型及技术标准:GaN MOSFET和SiC MOSFET |
建设单位 | 西安电子科技大学广州研究院 |
备案机关 | 黄埔区发展和改革局 |
备案申报日期 | 2020年11月04日 |
复核通过日期 | 2020年11月05日 |
项目起止年限 | 2020年11月01日 - 2023年10月01日 |
项目当前状态 | 办结(通过) |
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