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SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目
SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目导读：SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目 项目信息 备案项目编号 2020-441900-39-03-100116 项目名称 SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目 项目所在地 东莞市松山湖国际创新创业社区G2栋 项目总投资 9000.0万元 项目规模及内容 项...
SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目规模及项目内容详情
| 备案项目编号 | 2020-441900-39-03-100116 |
| 项目名称 | SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目 |
| 项目所在地 | 东莞市松山湖国际创新创业社区G2栋 |
| 项目总投资 | 9000.0万元 |
| 项目规模及内容 | 项目占地面积4700平方米，建筑面积4000平方米，计划将现有6英寸中试线扩建为8英寸/6英寸兼容SiC芯片特色制造工艺示范性创新平台。计划购置8英寸高温离子注入机、高温氧化炉、高温氧化炉、步进式光刻机、SiC快速外延炉等设备，主要产品为SiC MOSFET和SiC IGBT,设计年产能2万片SiC晶圆片,产值5亿元。 |
| 建设单位 | 松山湖材料实验室 |
| 备案机关 | 东莞市松山湖产业发展局 |
| 备案申报日期 | 2020年11月06日 |
| 复核通过日期 | 2020年11月06日 |
| 项目起止年限 | 2021年01月01日 - 2023年12月01日 |
| 项目当前状态 | 办结（通过） |
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